対応基板・パターン領域
SiO₂膜付きSiウェハは最大φ140mm、Ni電鋳モールドは最大□100mmのパターン形成に対応します。
HIGH-SPEED DIRECT WRITING
高速特殊レーザーによる
ナノ・高密度描画
EB描画に迫る微細性と高速描画を両立し、ナノ・高密度パターンを形成します。SiO₂膜付きSiウェハの原版モールドとNi電鋳モールドに対応します。
対応基板材質SiO₂膜付きSiウェハ / Ni
最大パターンエリアφ140mm / □100mm
最小寸法φ100nm
SPECIFICATIONS
対応仕様
原版モールドとNi電鋳モールドの対応範囲です。
表は左右にスクロールしてご覧いただけます。
| 仕様項目 | SiO₂膜付きSiウェハ （凹型） | Ni電鋳モールド （凸型） | Ni電鋳モールド （凹型） |
|---|---|---|---|
| 基板材質 | SiO₂膜付きSiウェハ | Ni電鋳 | Ni電鋳 |
| 外形サイズ | φ8インチ、φ6インチ、φ4インチ（Notch） | □20〜120mm | □20〜120mm |
| パターンエリア | φ140mm以下 | □100mm以下 | □100mm以下 |
| 最小寸法 | φ100nm（L/S：250nm） | ||
| パターンサイズ （X / Y） | Hole：φ150nm〜 L/S：250nm〜 | Pillar：φ150nm〜 L/S：250nm〜 | Hole：φ150nm〜 L/S：250nm〜 |
| パターンサイズ （Z） | 100 / 200 / 250 / 300 / 400 / 500 / 600 / 1000 / 1500nm | ||
CAPABILITY
ナノスケールの微細性
と高速描画を両立
最小寸法φ100nm
ナノスケールのHole、Pillar、L/Sパターンに対応します。
SiO₂膜付きSiウェハ・Ni電鋳
SiO₂膜付きSiウェハ原版（凹型パターン）と、凸型・凹型のNi電鋳モールドを製作できます。
特殊なWave形状
直線パターンに加え、曲線が連続するWaveパターンにも対応します。
INFORMATION NEEDED
ご相談時に必要な情報
基板・材料
材質、基板サイズ・厚さ、表面状態、支給または調達の希望。
形状・寸法
線幅、ピッチ、高さ・深さ、描画領域、パターンデータ。
数量・評価
必要数量、観察・測定項目、後工程の有無。
APPLICATIONS
高速特殊レーザーによるアプリケーション例
SiO₂膜付きSiウェハ原版とNi電鋳モールドに形成した微細構造です。
CONTACT
高速特殊レーザー描画を相談する
図面やパターンイメージの段階でも、実現方法を検討します。