基板・膜構成
Si基板の種類、厚さ、表面膜、マスク候補。
SILICON ETCHING
Siエッチング・
シリコン基板微細加工
表面パターンから深掘り構造まで。描画、レジスト、マスク形成、エッチング、観察・測定を組み合わせ、用途に合う工程を設計します。
基板Si（シリコン）
エッチング方式深掘り / RIE / プラズマ
一貫対応描画から評価まで
PROCESS
目的形状から
工程を選定
特定装置ありきではなく、必要寸法、深さ、側壁形状、マスク材料、面積、後工程から条件を組み立てます。
| パターン形成 | 電子ビーム描画、i線露光、マスクレス露光、レーザー描画 |
|---|---|
| マスク・成膜 | EB蒸着（Ti、Cr、Al、Au、Pt）、スパッタ（Ni、Ag）、原子層堆積 |
| エッチング | Si深掘りエッチング、プラズマドライエッチング、リアクティブイオンエッチング |
| 観察・測定 | SEM、TEM、AFM、FIB、段差計、光学・レーザー顕微鏡等 |
対応可能な深さ、アスペクト比、面積、公差は、形状と利用設備により個別に確認します。断面図と寸法条件をお送りください。
INFORMATION NEEDED
ご相談時に必要な情報
形状と寸法
最小線幅、深さ、側壁角度、ピッチ、加工面積。
用途と後工程
光学、MEMS、モールド等の用途、成膜・剥離・複製の有無。
評価条件
必要な観察方法、測定項目、許容差、納品形態。
PROCESS IMAGES
Si高アスペクト微細構造
深さ・高さを持つ構造について、断面形状と周期性が分かるSEM像を掲載しています。
CONTACT
Siエッチングの工程設計から相談する
装置・条件が未定でも、目標形状に適した工程をご提案します。