ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY

電子ビーム描画による
ナノパターン形成

微細な2次元パターンから多階調の3次元構造まで、材料・形状・加工面積に応じたEB描画プロセスを提案します。対応できる寸法は加工条件ごとに確認します。

描画条件材料・形状に応じて個別確認
対応工程設計 / 描画 / 現像 / 評価
代表用途光学・電子・MEMS・モールド

CAPABILITY

設計から後工程まで
工程を組み合わせて対応

描画2次元パターン、多階調ホログラム、ブレーズドグレーティング、画像データからの自由形状
前後工程CAD設計、レジスト選定、近接効果補正、露光、現像、エッチング、成膜
3D・複製3Dレジストパターン、Ni電鋳によるナノインプリント用モールド
デバイス分野電子デバイス、光学、バイオデバイス、MEMS、メタサーフェス、ナノインプリント
実現可能な線幅・面積・アスペクト比は、材料、パターン密度、レジスト種類・膜厚、基板、後工程によって変わります。図面またはデータをもとに確認します。

EXAMPLES

加工例

01

ロゴ・自由形状

Si基板、全長2.5μm、最小線幅50nmのパターン形成例。

02

微細ドットアレイ

SiO₂、φ30nm、ピッチ50nm、高さ30nmの微細・狭ピッチ構造例。

03

回折光学素子

多階調DOEやブレーズドグレーティングなど、光学機能を持つレジストパターン。

04

インプリントモールド

3D描画とNi電鋳を組み合わせ、複製用モールドへ展開。

PROCESS IMAGES

電子ビーム描画の加工実績

ナノスケールの立体構造、自由形状、多階調構造を実際のSEM像でご確認いただけます。

DOE多階調微細構造のSEM像
DOE多階調微細構造回折光学素子などに用いる多階調レジストパターン。500nm/pixel/8階調/250nm/step
電子ビーム描画によるBush CloverロゴのSEM像
ロゴ・自由形状Si基板/全長2.5μm/最小線幅50nm
電子ビーム描画によるレンチキュラー形状の断面SEM像
レンチキュラー形状Si基板上のレジストパターン。Pitch 2μm/H 0.7μm
電子ビーム描画によるブレーズドグレーティング断面のSEM像
ブレーズドグレーティング断面Si基板上のレジストパターン。Pitch 2μm/H 1μm

CONTACT

EB描画の条件出しも
ご相談ください。

GDS等のデータ、基板・レジスト仕様、最小寸法、描画面積、後工程、希望時期をお知らせください。