ロゴ・自由形状
Si基板、全長2.5μm、最小線幅50nmのパターン形成例。
ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY
微細な2次元パターンから多階調の3次元構造まで、材料・形状・加工面積に応じたEB描画プロセスを提案します。対応できる寸法は加工条件ごとに確認します。
CAPABILITY
| 描画 | 2次元パターン、多階調ホログラム、ブレーズドグレーティング、画像データからの自由形状 |
|---|---|
| 前後工程 | CAD設計、レジスト選定、近接効果補正、露光、現像、エッチング、成膜 |
| 3D・複製 | 3Dレジストパターン、Ni電鋳によるナノインプリント用モールド |
| デバイス分野 | 電子デバイス、光学、バイオデバイス、MEMS、メタサーフェス、ナノインプリント |
EXAMPLES
Si基板、全長2.5μm、最小線幅50nmのパターン形成例。
SiO₂、φ30nm、ピッチ50nm、高さ30nmの微細・狭ピッチ構造例。
多階調DOEやブレーズドグレーティングなど、光学機能を持つレジストパターン。
3D描画とNi電鋳を組み合わせ、複製用モールドへ展開。
PROCESS IMAGES
ナノスケールの立体構造、自由形状、多階調構造を実際のSEM像でご確認いただけます。




CONTACT
GDS等のデータ、基板・レジスト仕様、最小寸法、描画面積、後工程、希望時期をお知らせください。