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Electron Beam Lithography

​世界トップクラスの微細加工技術

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■DOE (Diffractive Optical Element)

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■Blazed Gratingパターン

人間が使える最も小さな加工ツールが、フィラメント から放出される熱電子を高電圧で加速し、φ数nm という極限まで細く絞った電子ビームです。

 

100kV以上の高加速電圧で最小描画線幅5nmの 極細線描画が可能なトップエンドモデルから、大面 積の描画に対応した高スループットモデルを用いた 幅広い電子ビーム描画プロセスをご提案します。

 

豊富なアプリケーション力を武器に、2次元図形の みならず、多階調のホログラムやブレーズドグレーテ ィングパターンなど多彩なレジストパターンを描画可 能ですので、電子/光学/バイオデバイス/MEMSの 研究開発・生産や、ナノインプリントモールドの作成 など多用途に利用可能です。

 

■ トータルでのご提案

EB描画は一般的に利用のハードルが高いと言われ ていますが、Bush CloverではEB描画のオペレーシ ョンのみならず、CAD設計、レジスト選定、現像等の EB描画にかかわるすべての工程を熟知したエンジ ニアが対応いたします。

■ 加工事例

8階調のDOEパターンを、エッチング無しで作成可 能。0次光(DOEに入射した光のうち、回折せずにそ のまま抜ける光成分)が無くロスが少ないDOEパタ ーンを製作可能です。

 

また、3D描画技術を駆使してブレーズドグレーティ ングのような傾斜形状も自在に製作可能。BMP等の 画像データからパターニングする事もできます。また 3DレジストパターンへNi電鋳処理を行うことでナノ インプリント用モールドが作製できます。

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材質:Si

最小線幅:50nm

​パターンエリア:□2.5um

電子ビーム描画によるナノメートルオーダーの自由形状パターン作成。

幅広いデータ形式を取り扱っているため、イラストやロゴなど任意の微細形状を描画可能です。

画像は弊社ロゴマークの描画の一例であり、全長2.5 μm、最小線幅50nmのパターン作成を達成しています。

電子ビームによるナノパターン描画
微細ドットアレイプロセス受託開始
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材質:SiO2

寸法:​φ30nm / Pitch 50nm / H 30nm

電子ビーム描画技術を駆使して微細ドットアレイを製作可能です。

微細且つ狭ピッチ化に成功しました。

​2022年6月より受託加工を開始しました。

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